半導体微細工程限界突破新素材の開発
ユニストのシン・ヒョンソク教授ら共同研究／中国への屈起・日本輸出規制克服に期待
半導体チップの中の素子をさらに小さくし、チップの作動速度を画期的に高める技術が開発された。
蔚山科学技術院（UNIST）は24日、自然科学部の申鉉錫（シン・ヒョンソク）教授チームがサムスン電子総合技術院の申鉉珍（シン・ヒョンジン）専門研究員チーム、基礎科学研究院（IBS）などと国際共同研究を行い、半導体素子をより細かくできる「超低誘電率絶縁体」を開発したと発表した
ナノメートル単位の半導体工程では、素材が小さくなるほど内部の電気干渉が激しくなり情報処理速度を落とす。 このため、誘電率の低い新素材を開発し、電気干渉を最小化することが、半導体限界克服の核心として浮上している。 誘電率が低ければ電気的干渉が減るため、半導体素子から金属配線の間隔を減らすことができる。
研究チームは既存の絶縁体より誘電率が30％以上低い「非晶質窒化ホウ素」素材を合成した。 現在、半導体工程で使われている絶縁体は、多孔性有機ケイ酸塩（p−SiCOH）で、誘電率は2.5レベルだが、新たに開発された非晶質窒化ホウ素の誘電率は1.78だ。 技術的難題とされた誘電率2.5以下の新素材を発見したのだ。
これまでは誘電率を下げるため、素材の中に微細な空気穴を追加することで強度が弱くなる問題があったが、非晶質窒化ホウ素は物質自体の誘電率が低く、空気穴を入れなくても高い機械的強度を維持することができる。
UNISTの（シン・ヒョンソク教授は、「この物質が商用化されれば、中国の半導体屈起や日本の輸出規制など、半導体産業に降りかかった危機を乗り切る上で大きく役立つだろう」とし、「半導体の超格差戦略を続ける核心素材技術だ」と説明した。
今回の研究成果は世界最高権威の学術誌「ネイチャー」25日付けで掲載された。
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Source: かんこく！韓国の反応翻訳ブログ
