ファウンドリ格差拡大、DRAM・NANDは追われて…サムスンは大丈夫なのか
脅かされているメモリー半導体、世界トップ
DRAM 46.6→41.7％、NAND 38.7→33.9％
市場シェア、3～4年連続下落
ライバルメーカーに世界初記録が相次いで奪われる
「より果敢な投資へ超格差急務」
米中貿易の対立でファウンドリ（半導体委託生産）事業が「ナッツクラッカー」状態に追い込まれたサムスン電子がメモリー半導体まで脅かされている。 米マイクロンなどのライバル会社が攻撃的な投資を通じて領土拡大に乗り出した中、サムスン電子のシェア下落が続いている。
サムスン電子は、DRAM市場では1992年から、NAND型フラッシュは2002年から、世界トップの座を保っている。 しかし、最近市場シェアは下落傾向にある。 19日、市場調査会社オムディアによると、サムスンのDRAM市場シェアは、2016年の46.6％から昨年は41.7％へと下がった。 4年連続でシェアが減少した。 一方、マイクロンは同じ期間に20.4％から23.5％に「密かに」市場を拡大した。 SKハイニックスも同期間、25.6％から29.4％に領土を拡張した。 NAND型フラッシュの事情も似ている。 サムスン電子のシェアは、2017年38.7％まで上昇したが、昨年は33.9％まで下がった。 日本のキオクシアは同期間、16.5％から18.9％へと、マイクロンは10.9％から11.4％へとそれぞれ規模を拡大した。
サムスン電子と後発走者とのシェアが縮まった根本的な理由は、技術格差が縮まったためだ。 サムスン電子とマイクロンの技術格差が2年なら、マイクロンの新製品はサムスン電子の2年前の価格で販売することになる。 しかし、技術格差が1年に縮まれば、値をつけることができ、売り上げが伸びる。 韓国半導体産業協会のアン・ギヒョン専務は「技術が高度化するほど、先頭グループ企業の研究・開発（R&D）速度は遅くなるしかない。 そうすれば後発走者の追撃速度は速くなる」とし「サムスン電子が強調してきた’超格差’が追いつかれ、平準化する可能性も排除できない」と懸念した。
実際、サムスン電子は最近、メモリー半導体市場で「世界初」のタイトルを相次いでライバル会社に奪われた。 マイクロンは昨年11月、世界で初めて176段以上の3次元（3D）7世代積層（V）NANDを発売すると発表した。 また1月、マイクロンは世界で初めて第4世代（1a）10ナノメートル（1ナノは10億分の1）DRAMを量産することに成功したと発表した。 サムスン電子は第1世代（1x・1y・lz）10ナノDRAM量産の世界初タイトルを持っていた。
NAND型フラッシュ市場では王座も脅かされている。 トレンドフォースによると、昨年第4四半期基準のサムスン電子のシェアは32.9％とトップであり、キアクシア（19.5％）だった。 ウエスタンデジタル（14.4％）、SKハイニックス（11.6％）、マイクロン（11.2％）、インテル（8.6％）の順だった。 しかし、マイクロンとウエスタンデジタルが業界2位のキアクシア買収を検討したことで、サムスンが守ってきた「不動の1位」が脅かされることになった。 両社のうちどの会社であれ、キアクシアの買収に成功すれば、サムスン電子と匹敵する規模に浮上することになる。 SKハイニックスも90億ドル（約10兆1300億ウォン）を投入したインテルのNAND型フラッシュ事業部の買収作業が最終段階に入っている。
業界関係者は「サムスンが絶対強者の位置から降りるため、マイクロン、SKハイニックスとの三つ巴を避けられなくなった」と述べた。 韓国半導体ディスプレイ技術学会長のパク・ジェグン氏（漢陽大融合電子工学部教授）は「サムスンがマイクロンと技術格差を広げるのが急務」とし「半導体微細工程と生産効率など技術分野で遅れを取ってはならない」と強調した。 アン専務も「メモリー半導体分野で果敢かつ攻撃的な投資を通じてR&D速度を高めなければならない」と述べた。
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Source: かんこく！韓国の反応翻訳ブログ
